GaN/氮化鎵 - MTC-65W1C
Mouse over image to zoom
返馳式穀底偵測減少開關損失
輕載Burst Mode增加效率
較佳效能可達93%
空載損耗低於50mW
控制IC可支持頻率高達160 kHz
系統頻率有Jitter降低EMI干擾
控制IC可直接驅動GaN
產品介紹
本電源模組是65W單一C介面，其輸出電壓由協議IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等電壓輸出，使用QR/DCM反馳式電路架構於輸出20V重載時可達93%效率及功率密度可達1.5W/cm3，本系統採用同系列控制單晶片：QR一次側控制IC驅動MTC D-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側同步整流控制IC及PD3.0協議IC)可達到較佳匹配。
一、GaN/氮化鎵 - MTC-65W1C的特性：
返馳式穀底偵測減少開關損失
輕載Burst Mode增加效率
較佳效能可達93%
空載損耗低於50mW
控制IC可支持頻率高達160 kHz
系統頻率有Jitter降低EMI干擾
控制IC可直接驅動GaN
進階保護功能如下：
(1) VDD過電壓及欠電壓保護
(2) 導通時較大峰值電流保護
(3) 輸出過電壓保護
(4) 輸出短路保護
可輸出65W功率
二、GaN/氮化鎵 - MTC-65W1C的應用：
電源適配器
LED照明驅動器
LCD顯示器電源
帶充電介面排插
工采網電子元件的所有產品均來自于原始生產廠商直接供貨，非第三方轉售。
